Новое поколение памяти
6 мая 2009 |
---
Южнокорейская компания Samsung сообщила о скором начале поставок нового поколения микросхем памяти на основе фазового перехода – PRAM. Согласно информации от разработчиков, первые партии устройств отгрузят клиентам уже в июне 2009 года, причем ими станут решения информационной емкостью 512 Мб.
Главным достоинством памяти на основе фазового перехода является высокая скорость при произвольном чтении данных и энергонезависимость, позволяющая хранить записанную информацию без подвода энергии.
Таким образом, память типа PRAM объединяет в себе сильные стороны оперативной памяти и флэш-памяти – согласно официальным сведениям, новые микросхемы могут увеличить скоростные возможности подсистемы памяти в тридцать раз. По сравнению с комбинацией современной «оперативки» и энергонезависимых накопителей.
В основе технологии Samsung лежит применение такого материала, как халькогенидное стекло. Материал способен за очень короткий промежуток времени изменять свое фазовое состояние из кристаллического в аморфное, и наоборот. Именно за счет этого и достигается высокая скорость передачи информации. Материал также способен в течение значительного времени сохранять свое фазовое состояние, что позволяет реализовать энергонезависимость памяти.
Пока Samsung не разглашает информацию относительно потенциальных клиентов, которым будет осуществляться поставка первых PRAM-микросхем. Не называется и основная область применения устройств, впрочем, их характеристики и компактные размеры позволяют предположить, что они найдут свое признание в мобильной электронике, выполняя одновременно роль оперативной памяти и основного накопителя.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Путники, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Посетители, находящиеся в группе Путники, не могут оставлять комментарии к данной публикации.